近日，古瑞瓦特與全球知名的IC及半導體制造商安森美半導體達成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方攜手成立聯(lián)合實驗室，共同推進IGBT在逆變器領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用。

作為全球領(lǐng)先的逆變器品牌，古瑞瓦特為全球提供多元化的高品質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)。逆變器內(nèi)部，凡是經(jīng)過大電流的功率型器件，如IGBT、電感等對品質(zhì)要求極高，以確保逆變器能夠長期穩(wěn)定工作。古瑞瓦特始終堅守嚴控內(nèi)核品質(zhì)，逆變器的核心元器件如IGBT單管或模塊、電容等，均使用國際一線品牌，此次與安森美半導體的深度合作就是針對IGBT等核心部件的供應(yīng)與創(chuàng)新，古瑞瓦特全系列產(chǎn)品均采用了由安森美提供的優(yōu)質(zhì)IGBT、控制IC、功率二極管等元器件。安森美半導體(ON Semiconductor半導體公司是世界最大模擬IC、邏輯IC和分立半導體元件供應(yīng)商之一,美國納斯達克上市)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。

聯(lián)合實驗室與獎杯

   為了優(yōu)化IGBT在逆變器應(yīng)用端的表現(xiàn)，推進IGBT的技術(shù)創(chuàng)新，古瑞瓦特與安森美半導體攜手成立“古瑞瓦特新能源及安森美半導體聯(lián)合實驗室”。聯(lián)合實驗室位于古瑞瓦特的研發(fā)中心，安森美半導體提供各項設(shè)備并對古瑞瓦特研發(fā)團隊進行深入培訓技術(shù)交流，在實驗室中即可對IGBT在逆變器中的使用進行提前預(yù)演，從熱仿真、損耗測試、電壓、電流、溫度等多方面進行嚴格測試，保障IGBT的品質(zhì)以及與逆變器的適配性。

安森美技術(shù)培訓與IGBT測試

古瑞瓦特總裁丁永強表示，古瑞瓦特始終堅持追求卓越品質(zhì)，秉持以客戶為中心、以質(zhì)量為底線的管理理念。實驗室成立后，古瑞瓦特和安森美半導體將建立更為緊密、長期的戰(zhàn)略合作關(guān)系，雙方將攜手打造更高品質(zhì)的產(chǎn)品，我們相信古瑞瓦特與安森美戰(zhàn)略合作的加深將推動我們?yōu)榭蛻籼峁└鼊?chuàng)新的、領(lǐng)先市場的解決方案。

古瑞瓦特總裁丁永強與安森美半導體總裁兼首席執(zhí)行官Keith D. Jackson