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近期，上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究發(fā)現(xiàn)，在絕緣體上制備石墨烯使用鍺薄膜做催化劑，可制備出高質(zhì)量單層石墨烯材料，解決了使用其他金屬催化劑引入金屬沾污的問題。該項研究為獲得晶圓級絕緣體上石墨烯奠定了基礎(chǔ)，有助于推動石墨烯材料在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用。
業(yè)內(nèi)表示，石墨烯，由于其優(yōu)異的物理性質(zhì)一直受到學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注，為了實(shí)現(xiàn)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用，石墨烯薄膜需要轉(zhuǎn)移或直接生長到絕緣襯底上。直接在絕緣襯底上生長石墨烯，有利于獲得晶圓級石墨烯材料，對推動石墨烯材料在集成電路等領(lǐng)域的應(yīng)用具有重要意義。鍺材料應(yīng)用范圍增加，相關(guān)鍺資源公司有望受益。
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