橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的功率芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體擴(kuò)大采用第六代STripFET技術(shù)的高效功率晶體管的產(chǎn)品系列，為設(shè)計(jì)人員在提高各種應(yīng)用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。

　　最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET可承受高達(dá)80V的電壓，可用于太陽能發(fā)電應(yīng)用（如微型逆變器）、電信設(shè)備、聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及服務(wù)器電源。高額定電壓可準(zhǔn)許晶體管在48V電信應(yīng)用中穩(wěn)定工作，高能效還可有效降低運(yùn)營商網(wǎng)絡(luò)成本。此外，這項(xiàng)技術(shù)不僅可降低消費(fèi)電子的電源能耗，在可使其在更低的溫度下工作，從而提高用戶的使用體驗(yàn)，并延長(zhǎng)電池壽命。

　　首批推出的5款產(chǎn)品分別為60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的 STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由于采用了意法半導(dǎo)體最新的DeepGATE溝道MOSFET架構(gòu)，這五款產(chǎn)品擁有業(yè)界同類產(chǎn)品最低的單位芯片面積通態(tài)電阻。這些低損耗器件選擇多種微型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，使客戶能夠提高系統(tǒng)能效，同時(shí)降低印刷電路板的尺寸和總體組件數(shù)量/成本。

　　主要特性：

　　60V和80V擊穿電壓

　　0.0016Ω通態(tài)電阻 (STH260N6F6-2)

　　180A額定電流 (STx260F6N6)

　　100%雪崩測(cè)試

　　采用TO-220封裝的STP260N6F6、STP210N75F6與采用H2PAK-2貼裝的STH210N75F6-2、STH260N6F6-2 目前已上市。

　　采用PowerFLAT 5x6封裝的STL75N8LF6預(yù)計(jì)于2011年第三季度推出樣片。PowerFLAT封裝可縮減芯片的占板空間，同時(shí)優(yōu)化輸出電流。