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中國的光伏制造產(chǎn)業(yè)正在朝著技術(shù)密集型的方向發(fā)展升級，規(guī)模龐大且仍在持續(xù)擴(kuò)充的光伏技術(shù)骨干隊伍也在不斷朝著專業(yè)化的道路快速前進(jìn)。舉辦一個屬于中國的、同時也是屬于世界的國際一流光伏技術(shù)大會可謂大勢所趨，這正是中國國際光伏技術(shù)大會(CPTIC)的辦會宗旨。
本次大會將設(shè)大會主題演講、高端對話、主題分會等不同類型、不同側(cè)重、不同層次的交流環(huán)節(jié)。在高效的會議組織和執(zhí)行架構(gòu)下，在由行業(yè)領(lǐng)袖組成的國際顧問委員會的指導(dǎo)下，在由國內(nèi)外頂級技術(shù)專家組成的國際性技術(shù)委員會的嚴(yán)格把關(guān)下，CPTIC每一個主題活動的設(shè)計，每一個演講人的篩選都將以最高的標(biāo)準(zhǔn)貫徹執(zhí)行。會議內(nèi)容的技術(shù)領(lǐng)先性、客觀性和準(zhǔn)確性，將實現(xiàn)全球領(lǐng)先技術(shù)與中國產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求的完美對接，帶給與會觀眾無以倫比的全新體驗。
作者須知：
有意作者請于2012年10月30日前提交200-500字的摘要和約100字的個人簡介。摘要必須使用網(wǎng)站上的模板清楚地描述論文性質(zhì)、范圍、內(nèi)容、組織、關(guān)鍵點和重要性。
演講稿需是非商業(yè)的原始稿，關(guān)注設(shè)計技術(shù)的優(yōu)點、方法、結(jié)構(gòu)、集成方案、材料或整個過程，而非個別公司產(chǎn)品的介紹。中國國際光伏技術(shù)大會委員會將嚴(yán)格審查論文摘要，選定演講嘉賓將在2012年11月30日前公布。
論文電子稿一般為三至六頁，需包含圖表、計劃數(shù)字和圖片，并通過SEMI網(wǎng)站提交，截至日期為2013年1月10日。英文演講材料上交截至日期為2013年2月10日。被采納的論文將發(fā)布在會議論文集中，SEMI將擁有該論文合作版權(quán)，有權(quán)重新發(fā)布，重新出售，并展示論文（提交的材料）的全部或部分。
2013中國國際光伏技術(shù)大會（CPTIC 2013）分會主題：
分會一—綠色能源，電網(wǎng)，政策與市場
- 綠色能源與環(huán)保
- 太陽能電站與電網(wǎng)連接
- 智能電網(wǎng)，微電網(wǎng)和離網(wǎng)應(yīng)用
- 補(bǔ)貼機(jī)制的政策分析和趨勢
- 分區(qū)域、產(chǎn)業(yè)段和技術(shù)領(lǐng)域的市場動態(tài)
- 新興市場的前景
分會二—硅材料制造業(yè)
- 多晶硅材料的生產(chǎn)
- 冶金法、改良西門子法與流化床工藝
- 西門子法的生產(chǎn)和純化
- 氣體回收、再利用及副產(chǎn)品
- 工藝反應(yīng)堆和其他設(shè)備
- 物理法多晶硅—升級的冶金級硅
分會三—成晶與晶圓加工
- 晶體生長方法和熱場設(shè)計
- 晶態(tài)、非晶態(tài)和混晶態(tài)結(jié)構(gòu)
- 摻雜與雜質(zhì)控制
- 硅片切割、拋光、清潔及新硅片切割技術(shù)
- 蝕刻、打磨、去應(yīng)力和清潔
- 防反光涂層、SiN及新的硅材料
分會四—太陽能電池及組件工程
- 先進(jìn)的太陽能電池工藝
- 高效率太陽能電池結(jié)構(gòu)
- 設(shè)備基準(zhǔn)和特征化
- 薄晶體硅太陽能電池
- 晶體硅的體積和表面鈍化
- 晶體硅太陽能電池的光管理
- 組件最優(yōu)設(shè)計與工程化
分會五—薄膜技術(shù)和可靠性
- 太陽能電池組件可靠性（晶體硅，薄膜）
- 薄膜吸收層的沉積和表征
- 透明導(dǎo)體、緩沖層與背接觸
- 設(shè)備性能和建模/特征化
- 薄膜應(yīng)用中的最優(yōu)化和新興材料
- 先進(jìn)的工藝和過程控制
- 生產(chǎn)過程中的控制、性能及互聯(lián)
分會第六—新興的太陽能技術(shù)
- 先進(jìn)的最優(yōu)光伏理念，永久消除平價上網(wǎng)的電價差
- 未來的光伏技術(shù)主題
- 新的光伏組件設(shè)計和工藝技術(shù)，以提高效率和/或緩解硅厚度縮放挑戰(zhàn)
- 光伏應(yīng)用的新性材料，如有機(jī)、量子點、薄膜、硅太陽能電池等
- 先進(jìn)的太陽能電池器件物理與薄膜晶體管
- 先進(jìn)的高效率OPV材料、設(shè)計和工藝技術(shù)
- 先進(jìn)的選擇性發(fā)射、接觸式設(shè)計、表面鈍化技術(shù)以及晶體硅電池工藝
詳情請訪問：http://www.solarconchina.org/en/CPTIC/CallforPaper
SEMI中國
聯(lián)系人：沈紅 小姐
電話：86.21.5027.0909*225
傳真：86.21.5027.4830
郵箱：kshen@semi.org
本次大會將設(shè)大會主題演講、高端對話、主題分會等不同類型、不同側(cè)重、不同層次的交流環(huán)節(jié)。在高效的會議組織和執(zhí)行架構(gòu)下，在由行業(yè)領(lǐng)袖組成的國際顧問委員會的指導(dǎo)下，在由國內(nèi)外頂級技術(shù)專家組成的國際性技術(shù)委員會的嚴(yán)格把關(guān)下，CPTIC每一個主題活動的設(shè)計，每一個演講人的篩選都將以最高的標(biāo)準(zhǔn)貫徹執(zhí)行。會議內(nèi)容的技術(shù)領(lǐng)先性、客觀性和準(zhǔn)確性，將實現(xiàn)全球領(lǐng)先技術(shù)與中國產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求的完美對接，帶給與會觀眾無以倫比的全新體驗。
作者須知：
有意作者請于2012年10月30日前提交200-500字的摘要和約100字的個人簡介。摘要必須使用網(wǎng)站上的模板清楚地描述論文性質(zhì)、范圍、內(nèi)容、組織、關(guān)鍵點和重要性。
演講稿需是非商業(yè)的原始稿，關(guān)注設(shè)計技術(shù)的優(yōu)點、方法、結(jié)構(gòu)、集成方案、材料或整個過程，而非個別公司產(chǎn)品的介紹。中國國際光伏技術(shù)大會委員會將嚴(yán)格審查論文摘要，選定演講嘉賓將在2012年11月30日前公布。
論文電子稿一般為三至六頁，需包含圖表、計劃數(shù)字和圖片，并通過SEMI網(wǎng)站提交，截至日期為2013年1月10日。英文演講材料上交截至日期為2013年2月10日。被采納的論文將發(fā)布在會議論文集中，SEMI將擁有該論文合作版權(quán)，有權(quán)重新發(fā)布，重新出售，并展示論文（提交的材料）的全部或部分。
2013中國國際光伏技術(shù)大會（CPTIC 2013）分會主題：
分會一—綠色能源，電網(wǎng)，政策與市場
- 綠色能源與環(huán)保
- 太陽能電站與電網(wǎng)連接
- 智能電網(wǎng)，微電網(wǎng)和離網(wǎng)應(yīng)用
- 補(bǔ)貼機(jī)制的政策分析和趨勢
- 分區(qū)域、產(chǎn)業(yè)段和技術(shù)領(lǐng)域的市場動態(tài)
- 新興市場的前景
分會二—硅材料制造業(yè)
- 多晶硅材料的生產(chǎn)
- 冶金法、改良西門子法與流化床工藝
- 西門子法的生產(chǎn)和純化
- 氣體回收、再利用及副產(chǎn)品
- 工藝反應(yīng)堆和其他設(shè)備
- 物理法多晶硅—升級的冶金級硅
分會三—成晶與晶圓加工
- 晶體生長方法和熱場設(shè)計
- 晶態(tài)、非晶態(tài)和混晶態(tài)結(jié)構(gòu)
- 摻雜與雜質(zhì)控制
- 硅片切割、拋光、清潔及新硅片切割技術(shù)
- 蝕刻、打磨、去應(yīng)力和清潔
- 防反光涂層、SiN及新的硅材料
分會四—太陽能電池及組件工程
- 先進(jìn)的太陽能電池工藝
- 高效率太陽能電池結(jié)構(gòu)
- 設(shè)備基準(zhǔn)和特征化
- 薄晶體硅太陽能電池
- 晶體硅的體積和表面鈍化
- 晶體硅太陽能電池的光管理
- 組件最優(yōu)設(shè)計與工程化
分會五—薄膜技術(shù)和可靠性
- 太陽能電池組件可靠性（晶體硅，薄膜）
- 薄膜吸收層的沉積和表征
- 透明導(dǎo)體、緩沖層與背接觸
- 設(shè)備性能和建模/特征化
- 薄膜應(yīng)用中的最優(yōu)化和新興材料
- 先進(jìn)的工藝和過程控制
- 生產(chǎn)過程中的控制、性能及互聯(lián)
分會第六—新興的太陽能技術(shù)
- 先進(jìn)的最優(yōu)光伏理念，永久消除平價上網(wǎng)的電價差
- 未來的光伏技術(shù)主題
- 新的光伏組件設(shè)計和工藝技術(shù)，以提高效率和/或緩解硅厚度縮放挑戰(zhàn)
- 光伏應(yīng)用的新性材料，如有機(jī)、量子點、薄膜、硅太陽能電池等
- 先進(jìn)的太陽能電池器件物理與薄膜晶體管
- 先進(jìn)的高效率OPV材料、設(shè)計和工藝技術(shù)
- 先進(jìn)的選擇性發(fā)射、接觸式設(shè)計、表面鈍化技術(shù)以及晶體硅電池工藝
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