（四）倒角的影響

正常情況下，如果都是同樣面積156*156 的硅片，同樣的加工費(fèi)在一張電池片單晶可以輕松的做出比多晶多出不少的峰瓦值。但是單晶要倒角，所以同樣是156*156 的硅片，單晶的面積要小一些。單晶面積是23800-23900 平方毫米，而多晶正常水平是24336±1 平方毫米，取單晶最小面積是23800 平方毫米，單晶面積：多晶面積=0.977975，多晶面積：?jiǎn)尉娣e=1.022521。

下表中第一列是單晶的轉(zhuǎn)換效率，第一行是多晶的轉(zhuǎn)換效率。主表數(shù)據(jù)為電池瓦數(shù)比。計(jì)算方法：電池瓦數(shù)比=多晶轉(zhuǎn)換率*多晶面積/（單晶轉(zhuǎn)換率*單晶面積），本表可以對(duì)比到最終組件，但是要考慮單晶和多晶的封裝損耗是有差異的。
 

從表中可以看出，電池瓦數(shù)比小于1 時(shí)說明同一張硅片單晶要比多晶的瓦數(shù)要多，只要單晶比多晶的轉(zhuǎn)換效率高0.5%，就可以保持住瓦數(shù)優(yōu)勢(shì)。正常情況下，單晶和多晶如果同時(shí)做到一樣的瓦數(shù)的電池片，兩者的成本差在0.2 元/片左右，這是無法消除硅片間的價(jià)格差，也無法消除兩者的硅錠的加工差的。

所以未來的競(jìng)爭(zhēng)同樣面積的組件單晶最好能比多晶高出5%-10%，而電池轉(zhuǎn)換效率的提升是和成本相關(guān)，在此不做詳細(xì)討論。