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美專利商標局授予Solar-Tectic LLC薄膜太陽能電池與半導體專利

   2015-04-23 世紀新能源網(wǎng)16560
核心提示:-該專利針對已故的美國技術(shù)創(chuàng)新獎得主Praveen Chaudhari博士發(fā)明的技術(shù)頒發(fā),涉及的技術(shù)可應(yīng)用于薄膜太陽能電池、LED、薄膜晶體管(
-該專利針對已故的美國技術(shù)創(chuàng)新獎得主Praveen Chaudhari博士發(fā)明的技術(shù)頒發(fā),涉及的技術(shù)可應(yīng)用于薄膜太陽能電池、LED、薄膜晶體管(TFT)、場效應(yīng)晶體管(FET)、太陽能逆變器和納米設(shè)備等多個電子行業(yè)
紐約州布賴爾克利夫馬諾2015年4月23日電 /美通社/ -- Solar-Tectic LLC (簡稱ST)今天宣布,美國專利商標局(USPTO)已向公司的多項技術(shù)頒發(fā)了一項主要專利(50多個專利申請范圍),其中包括在普通玻璃等廉價襯底上生長單晶體、高度織構(gòu)或大粒徑半導體薄膜的技術(shù)。這些技術(shù)是由已故的1995年美國國家技術(shù)獎得主Praveen Chaudhari博士發(fā)明,可應(yīng)用于太陽能、顯示器和LED等多個行業(yè)。

美國專利(12/774,465)“在器件上生長異質(zhì)外延單晶體或大粒徑半導體薄膜的方法”(Methods of Growing Heteroepitaxial Single Crystal or Large Grained Semiconductor Films and Devices Thereon)揭示了改良的氣液固薄膜生長技術(shù),該技術(shù)首次實現(xiàn)了采用硅、鍺和氮化鎵等各種材料在廉價襯底上生長的高品質(zhì)半導體薄膜的低溫沉積。

具有成本效益、類似納米線的薄膜生長工藝,其中包括低共熔合金,非常適合大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用,可采用當前用于多個行業(yè)的電子束和化學氣相沉積等普通沉積工藝實現(xiàn)。

一般咨詢或技術(shù)授權(quán),請聯(lián)系 Carter Ledyard & Milburn LLP ,電郵: davis@clm.com ,電話:+1-212-238-8850。

Solar-Tectic LLC簡介 Solar-Tectic LLC是一家薄膜專業(yè)公司,主要專注于為在玻璃或金屬襯底上生長單晶或高度織構(gòu)半導體薄膜開發(fā)專利技術(shù)。該公司擁有廣泛的相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)和知識產(chǎn)權(quán)組合(基于已故的材料科學家和1995美國國家技術(shù)創(chuàng)新獎得主Praveen Chaudhari博士的發(fā)明)。過去一年內(nèi),多篇有關(guān)相關(guān)領(lǐng)域研發(fā)進展的論文得到發(fā)表,其中包括S. McMahon等人撰寫的 《通過電子束蒸發(fā)在緩沖的鈉鈣玻璃上生長高度織構(gòu)硅[111]晶體薄膜》 (Highly textured silicon [111] crystalline thin-film onbuffered soda-lime glass by e-beam evaporation)和A Chaudhari等人撰寫的 《通過電子束在緩沖的鈉鈣玻璃上生長Al203晶體》 (Crystalline Al203 onbuffered soda-lime glass by e-beam)。

 
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