今日，1366宣布直接硅片制造技術(shù)性能再創(chuàng)新高，其與韓華Q CELLS合作實(shí)現(xiàn)了19.9%的電池轉(zhuǎn)換效率。該結(jié)果得到了德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所光伏校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室（Fraunhofer ISE CalLab）的獨(dú)立確認(rèn)。這表明1366科技的直接法硅片與韓華Q CELLS的Q.ANTUM背鈍化技術(shù)取得了快速的效率提升。

“我們效率提升的速率幾乎是行業(yè)平均的兩倍。去年底，在同條件的對比測試中，直接硅片的效率超過了高效多晶參考組。這一最新效率充分證明了1366科技的技術(shù)繼續(xù)快速提升效率的可能性，因?yàn)橹苯庸杵に嚧蚱屏髓T錠切片技術(shù)的局限。”1366科技首席執(zhí)行官弗蘭克·范·米爾洛（Frank van Mierlo）說。


據(jù)悉，相比于高效多晶產(chǎn)品，1366科技的技術(shù)路線圖清晰地展示了直接硅片產(chǎn)品不僅可以使成本更低，而且能讓其電池轉(zhuǎn)化效率明顯提高。更高的效率來自于其特有的制造工藝。

• 高純的生長環(huán)境：直接硅片工藝采用的熱場材料潔凈度遠(yuǎn)高于定向凝固鑄錠中使用的坩堝和涂層。硅錠在其熔點(diǎn)附近超過1天的時(shí)間，會使得坩堝和涂層中的雜質(zhì)向硅錠擴(kuò)散。1366科技的工藝避免了擴(kuò)散污染的產(chǎn)生。
• 更好的微觀結(jié)構(gòu)：多晶生長過程中產(chǎn)生的位錯(cuò)極大地影響了硅片品質(zhì)。而直接生長工藝在同等條件下每次生長一片硅片，可避免位錯(cuò)的產(chǎn)生，讓硅片更加均勻和高效。
• 摻雜濃度漸變：改變摻雜體在硅片正反兩面的濃度，在硅片內(nèi)形成摻雜濃度的漸變，可以使電子的收集更加有效，促進(jìn)效率提升。無需增加成本而操控?fù)诫s濃度是普通切片工藝（無論多晶還是單晶）均無法實(shí)現(xiàn)的。